MOSFET測試方法：

如果知道FET的類型和針腳，用萬用表測量G（柵極）和S（源）之間沒有PN結(jié)電阻，G和D（漏極）之間沒有PN結(jié)電阻，表明管損壞。萬用表的R*1KOH檔分別與場效應(yīng)管的S極和D極相連，表面棒用手接觸管極和G極。如果針不動，管子就不好；如果針比較大。振蕩表明管道可用。

另外：1.結(jié)型場效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場效應(yīng)晶體管的區(qū)別

（1）區(qū)分包裝

由于絕緣柵場效應(yīng)管的柵極易被擊穿和損壞，插腳通常短路或用金屬箔包裹，而結(jié)場效應(yīng)管在包裝上沒有特殊要求。

（2）測量指針式萬用表的電阻。

用萬用表的“R*LK”或“R*100”檔測量G、S腳之間的電阻和N結(jié)的正負電阻。管子是節(jié)管。

2。用萬用表電阻鑒別結(jié)場效應(yīng)管腳

一般采用R*1K或R*100檔進行測量。當選擇兩個管腳時，正確和反向電阻相同（均為數(shù)千歐元），兩個電極為D和S電極（在使用中可互換），其余電極相同。

由于絕緣柵場效應(yīng)管在測量中容易損壞，一般建議在不使用該方法識別管腳的情況下查閱手冊。

檢測IGBT模塊好壞的簡單方法：

1。要判斷極性，首先將萬用表設(shè)置在R*1K，用萬用表測量時，如果一個極和另一個極的電阻為無窮大，更換表筆后，極和另一個極的電阻仍為無窮大，則判斷極的柵極（G）。其他兩極用萬用表測量。如果測得的電阻為無窮大，則更換筆后測得的電阻很小。當電阻較小時，判斷紅色表筆連接為集電極（C），黑色表筆連接為發(fā)射極（E）。

2。判斷是好是壞，將萬用表置于R*10kQ檔，用黑筆連接IGBT的集電極（C），用紅筆連接IGBT的正時桿（E）。此時萬用表指針為零。同時用手指觸摸下柵極（G）和集電極（C），觸發(fā)并打開手動GBT。萬用表指針向電阻較小的方向擺動，可由站在某一位置指示。然后用手指同時觸摸柵極（G）和發(fā)射極（E），然后IGBT被阻斷，萬用表指針回到零位。此時，可以判斷IGBT是好的。

三。請注意，任何指針式萬用表電鈴都可以用來檢測IGBT。在判斷IGBT的質(zhì)量時，必須將萬用表置于R*IOK塊中。由于R*ikq以下的萬用表內(nèi)部電池電壓過低，檢測到質(zhì)量時無法打開IGBT，無法判斷IGBT的質(zhì)量。該方法也可用于功率場效應(yīng)晶體管（P-MOSFET）的質(zhì)量檢測。

以兩個單位為例：模擬萬用表測量

靜態(tài)測量：將萬用表置于倍率100，測量黑色表筆連接1個端子，紅色表筆連接2個端子，顯示電阻應(yīng)無窮大；

顯示器的阻力應(yīng)該在400歐元左右。同樣，黑色表筆連接3個端子，紅色表筆連接1個端子。

顯示電阻應(yīng)為無窮大，調(diào)整筆時，顯示電阻應(yīng)約為400歐姆。如果上述情況得到滿足，則表明IGBT的兩個單元沒有明顯的故障。

動態(tài)測試：萬用表檔位在10公里，用黑筆連接4個端子，用紅筆連接5個端子，用紅筆連接3個端子，用黑筆連接1個端子。此時電阻應(yīng)為300-400拍，調(diào)整筆的電阻也有300-400拍左右，說明IGBT單元是完美的。

用同樣的方法對1號和2號端子之間的IGBT進行測試，如果滿足上述條件，則表明IGBT也完好無損。

將萬用表置于R*10K塊內(nèi)，用黑筆接IGBT的漏極（D），用紅筆接IGBT的源。此時，萬用表指針指向無窮遠。當手指同時接觸柵極（G）和漏極（D）時，IGBT被觸發(fā)并打開。萬用表指針向電阻較小的方向擺動，能在一定的位置上站立和指示。然后用手指同時觸摸源極和柵極，然后IGBT被阻斷，萬用表指針返回無窮遠。此時，可以判斷IGBT是好的。

igbt模塊測量注意事項：

1。為了便于測量，直接從驅(qū)動板上拔出C、G、E。

2。進入第二次測量時，發(fā)射極（E）和柵極（G）應(yīng)短接。

三。如果用指針式萬用表判斷IGBT是好是壞，則必須將萬用表設(shè)置在R*10K塊內(nèi)。由于R*1K塊以下的萬用表內(nèi)部電池電壓太低，測試好壞時無法打開IGBT，無法判斷IGBT好壞。

4。使用指針式萬用表時，黑色表筆對應(yīng)電源正極，紅色表筆對應(yīng)負極。因此，在測量IGBT時，測量端與數(shù)字表相對。