英飛凌EiceDRIVER?驅動碳化硅(SiC) MOSFET

碳化硅(SiC) MOSFET具有極佳的快速開關性能，英飛凌提供1200伏的CoolSiC? 碳化硅(SiC) MOSFET以供客戶選擇。

英飛凌的隔離型門極驅動，基于無鐵芯變壓器技術，以其強大的驅動能力和保護功能而著稱，可以輕松地驅動1200伏的碳化硅(SiC) MOSFET，并提供可靠的電氣隔離。想要了解更多英飛凌隔離型門極驅動的信息，請參考英飛凌門極驅動選型指南。

以下這些驅動芯片擁有許多驅動碳化硅(SiC) MOSFET的關鍵優勢，極短的傳輸延遲，精準的通道間匹配和輸入濾波，超寬的輸出范圍和負電壓驅動能力，以及極佳的共模瞬變抗擾度（CMTI）。

產品特性

• 提供3.8 mm的DSO-8窄體封裝，及7.6 mm爬電距離的DSO寬體封裝

• 能夠在高溫環境下工作

• 提供有源米勒鉗位功能

• 提供短路電流鉗位與有源安全關斷

• 共模瞬變抗擾度（CMTI）高于100 kV/μs

• 精準的退飽和保護功能（DESAT）

• 欠壓鎖定額定閾值為 12 V/11 V

   

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