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產(chǎn)品名稱: 英飛凌IGBT FF200R33KF2C 200A 3300V
產(chǎn)品類型: 英飛凌IGBT
產(chǎn)品型號(hào): FF200R33KF2C
發(fā)布時(shí)間: 2018-09-15
- 產(chǎn)品描述
詳細(xì)資料
制造商: 英飛凌
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 3300 V
集電極射極飽和電壓: 3.4 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 330 A
柵極射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 2.2 kW
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
高度: 38 mm
長(zhǎng)度: 140 mm
寬度: 73 mm
柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
包裝數(shù)量: 4只
FF200R33KF2C IGBT 的工作原理和工作特性 IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給 PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使 IGBT 關(guān)斷。 IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和 MOSFET 基本相同，只需控制輸入極 N 一溝道 MOSFET ，所以具有高輸 入阻抗特性。 當(dāng) MOSFET 的溝道形成后，從 P+ 基極注入到 N 一層的空穴（少子），對(duì) N 一 層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小 N 一層的電阻，使 IGBT 在高電壓 時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。
由于報(bào)錯(cuò)信號(hào)SO的管腳直接連到ASIC中，其內(nèi)部為漏極開路電路，因此這個(gè)管腳對(duì)噪聲比較敏感。如果有噪聲進(jìn)入這個(gè)管腳，CMOS工藝的ASIC可能會(huì)出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)，導(dǎo)致錯(cuò)誤出現(xiàn)。
如下圖所示，上拉電阻R4放在控制器一側(cè)，中間用長(zhǎng)線連接至驅(qū)動(dòng)器，在沒有故障的情況下 在沒有故障的情況下，SO管腳呈現(xiàn)高阻狀態(tài)。且連接線越長(zhǎng)，SO腳對(duì)噪聲越敏感。
對(duì)于SO信號(hào)的處理，有以下方法：
1. SO信號(hào)必須有明確的電位，最好就近上拉；
2. SO信號(hào) 過長(zhǎng)線傳輸時(shí) 經(jīng)過長(zhǎng)線傳輸時(shí)，可以考慮配合門電路，以提高電壓信號(hào)抗擾能力，且接收端要配合阻抗合適的下拉電阻；
3. SO接10歐姆電阻，再用肖特基二極管做上下拉鉗位保護(hù)；控制器端用電阻上拉
注意事項(xiàng)：
1. 如果用二極管串聯(lián)至SO信號(hào)取“或”，必須先上拉再取 必須先上拉再取“或”，因?yàn)?極管平 二常是開路的，SO信號(hào)電位不確定。
2. SO是漏極開路電路，不同的SO可以直接短接進(jìn)行“線與”。
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