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詳細參數

制造商: 英飛凌 

產品種類: IGBT 模塊 

集電極發射極最大電壓 VCEO: 1200 V 

集電極射極飽和電壓: 2.1 V 

在25 C的連續集電極電流: 625 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 2500 W 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C 

高度: 30.5 mm  

長度: 106.4 mm  

寬度: 61.4 mm  

柵極發射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數量: 10只

使用二極管檢測的退飽和保護

SCALE-2技術還可利用高壓二極管實現退飽和保護，如下圖所示。但是，與使用電阻相比，使用高壓二極管有一些劣勢：

1與集電極-發射極電壓的變化率dvce/dt相關的共模電流：高壓二極管的結電容Cj很大。這些電容與dvce/dt共同作用產生了流進和流出測量電路的共模電流Icom。

2市場價格：高壓二極管比標準0805/150V或1206/200V SMD電阻器價格更貴。

3可獲得性：從市場上采購標準厚膜電阻相對更方便一些。

4穩定性有限：在較低的VCE水平下反應時間不會增大。然而，在較高IGBT溫度、較高集電極電流、諧振開關操作或相移PWM的情況下可能會發生保護動作被錯誤觸發，特別是參考電壓Vthx設置為大約10V以下的值時。

參考電壓的上限被限制為大約10V，這可能會造成IGBT利用率有限：集電極電流可能會被限制在兩倍額定電流以內的值，或者短路耐受能力將會降低。

在IGBT關斷狀態期間，D4（和Rax）將VCEx引腳設置為COMx電位，從而將電容Cax預充電/放電到負電源電壓，該電壓相對于VEx大約為-10V。

在IGBT導通時，電容Cax通過Rax充電。當IGBT集電極電位降低到某一水平時，Cax的電壓被高壓二極管D1和D2限制住。

正向恢復效應與器件的關系

在這里我們不討論產生二極管正向恢復現象的原因，不過可以這樣認為，這是半導體器件的固有的屬性。

絕大多數情況下，正向恢復效應不會產生什么問題，所以通常很少被討論。關于這個效應，有幾個特點需要注意：

1. 二極管溫度越高時，正向恢復效應越強烈，幅值及時間都會較長。

2. 電壓越高，電流越大的器件，正向恢復效應越強。

3. 不同品牌的器件 不同品牌的器件，即使是同 電壓或電流等級 一電壓或電流等級，正向恢復效應程度也許會有所不同。