IGBT 如何防止靜電擊穿？

IGBT在關斷時，由于逆變電路中存在電感成分，關斷產生瞬間尖峰電壓，如果尖峰電壓超過IGBT的最高峰值電壓，將造成IGBT擊穿損壞，過壓損壞可分為集電極-柵極過壓，柵極-發射極過電壓，高du/dt過電壓。對于du/dt所導致的過壓故障，基本上采用無感電容或RCD吸收，由于設計吸收容量不夠而造成損壞，可以采用電壓鉗位，往往在集電極-柵極兩端并聯齊納二極管，采用柵極電壓動態控制，當集電極電壓瞬間超過齊納二極管的鉗位電壓時，超出的電壓將疊加在柵極上，避免了IGBT因受集電極-發射極過壓而損壞。

在GE開路時，若在集電極-發射極間加上電壓，隨著集電極電位的變化，由于漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過，如果此時集電極-發射極處于高電壓狀態，可能使芯片發熱而損壞，這種情況下，若在主回路上加上電壓也將導致IGBT損壞，應在IGBT的柵極-發射極之間接一個10K左右的電阻。

手勿接觸驅動端子部分，在使用導電材料連接模塊的驅動端子時，在配線未布好之前先不要接模塊,否則易造成靜電損傷。（英飛凌igbt廠家）