電力MOSFET和IGBT開通關斷過程內部載流子運動狀況？

mosfet的開通，簡單來講，當在gate上加電壓，gate電位上升超過vt，靠近gate的p型body被反形成n型channel，source和drain之間有一條襯底n+到n 外延層，到n channel再到n+的通路。n型通路里的多子，也就是電子，在電場作用下流動形成電流。關斷時，gate上電勢下降，channel消失，電子電流切斷。漂移區電子在pn junction的內建電場下掃出漂移區。

igbt比較復雜，開通時，可以簡單看成是頂部mosfet和一個pnp三極管的組合，其中pnp由p body，n 漂移區和p+ 集電極組成。mosfet的drain接到pnp的n。和mosfet一樣，開通時channel形成，形成了n漂移區到n channel再到n+的通路。在電場下有由n漂移區到發射極的電子電流。這個電子電流相當于pnp三極管的基極電流，它觸發了由p+和n漂移區之間的大注入，大量空穴由p+注進漂移區，在電場作用下空穴經過漂移區到頂部發射極。關斷時，channel消失，漂移區的電子電流消失，空穴停止注入。然后滯留在漂移區的多余空穴在電場和復合作用下消失，該過程一般較長。（英飛凌igbt廠家）