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詳細參數

制造商: Infineon 

產品種類: IGBT 模塊 

配置: Dual 

集電極發射極最大電壓 VCEO: 1200 V 

集電極射極飽和電壓: 2.05 V 

在25 C的連續集電極電流: 1400 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 7.65 kW 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 150 C 

封裝: Tray 

高度: 38 mm  

長度: 250 mm  

寬度: 89 mm    

柵極發射極最大電壓: 20 V  

工廠包裝數量: 2只

IGBT的外特性

從IGBT 的外特性圖中可以讀出的信息

圖中左下角的圖是 圖中左下角的圖是IGBT的d h atas eet中給出的外特性曲線 中給出的外特性曲線，通常這個圖只給出 通常這個圖只給出 額定電流的2倍的曲線，電流再大的部分屬于定性不定量的示意圖。當電流 等于450A，即1倍額定電流時，Vcesat=2.5V；在2倍額定電流時， V t 3 9V Vcesat=3.9V；在3倍額定電流時，V t 5 6V Vcesat=5~6V；當電流達到4倍額定電流時 ，IGBT會承受住外部電壓的所有值。 這張圖可以看出： 1. IGBT在某個固定的門極電壓下，其電流達到一定高度就上不去了。這說 明，IGBT在短路時，電流會被限制在一個穩定的水平，其數值大約為 IGBT額定電流的4倍，（該數值與IGBT的芯片類型有關系 的芯片類型有關系）。 2. 門極電壓可以強烈地影響IGBT短路電流的數值，門極電壓較低時，短路 電流會比較低，門極電壓升高，短路電流也會升高。 3. IGBT的 在 電流 1倍至3倍 間變化 之 ，Vcesat的變化是非常微弱的 的變化是非常微弱的，只有幾V 的差別。 4. IGBT在退飽和后，Vcesat會有顯著變化。 5. IGBT在短路時，實際上進入了線性區。