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FS450R12KE3很多廠家的產品在 VCC2 和門極電壓之間會有 2V 左右的壓降，如果 VCC2 為 15V，那么驅動電壓 就只有13V，那么他們之間的損耗就會加大；如果需要15V的驅動電壓，則供電電壓會設置為17V， 這時候的 Dc1 實現的鉗位電壓就達到了 17.7V，鉗位電壓越高，鉗位的意義就越小。 而英飛凌這款產品采用的軌到軌輸出是供電電壓 VCC2 和門極驅動電壓一樣，除了不存在壓 降帶來的損耗以外，其實現的嵌位電壓也就更有意義，如果采用 15V 供電，則鉗位電壓最高也才 15.7V。

采用了 SOI（Silicon-On-Insulator,絕緣襯底上的硅）技術，就是在頂層硅和背襯底之間引入了一層 埋氧化層。涂的這層絕緣層的好處主要是，抗干擾的能力更強，耐負壓的能力更好，很多器件在 VS 的點經常跳負壓，而采用的這個絕緣層對負壓具有很好的耐受能力。 主要特性如下： 開關頻率高達 250KHz 0.5A，8Pin 封裝產品，簡易驅動 IC，可驅動 30A 的 IGBT 2.3A，14Pin 封裝產品，具有過電流，過電壓等保護功能。可驅動 75A 的 IGBT。 具有自舉，Active Shot Down，濾波延時補償，欠壓保護等功能。 濾波功能：采用內部的 RC 輸入電路完成（MOSFET 濾波時間 100ns 左右，IGBT 濾波時間 200ns 左右） 自舉功能：自舉二極管和限流電阻放到了器件內部。自舉電路中的阻抗越小越好，流過的電流就 越大。（0.5A，40 歐，2.3A，27 歐） 欠壓保護：設定欠壓保護值（如 12V），如果供電電壓低于設定的欠壓保護值，則輸出信號鎖死。 內置濾波欠壓保護，IGBT 版本具有非對稱欠壓保護，增強可靠性。 過流保護：主要針對 2EDL23xx 產品，濾波后的電流超過一定時間，認為過流，鎖定信號輸出。 內置自舉電路：相對采用 FET 做內置自舉的產品，采用二極管會更好一些，且溫漂小。 集成度更高：簡化了外部電路，降低系統成本，同時增加了產品的穩定性和抗干擾能力。